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温度的改变对半导体的导电能力、极限电压、极限电流以及开关特性等都有很大的影响。半导体芯片上的元器件分布很密,元器件之间空间非常小,当温度过高时,元器件体积发生膨胀、挤压,半导体芯片可能因为挤压产生裂纹报废。若温度太高,集成电路在工作的时候过热激发高能载流子会增大晶体管被击穿短路的概率。晶体管性能随温度会发生变化,高温会使部分电路因为性能变化无法正常工作。高温提高电迁移导致导线工作寿命下降。而如果温度过低,往往会造成芯片在额定工作电压下无法打开其内部的半导体开关,导致其不能正常工作。
冷热冲击试验是一种常用的可靠性测试方法,用于评估集成电路在温度变化环境下的性能。该测试通过在短时间内使芯片或其它半导体产品经历高温和低温交替的过程,以模拟实际使用中的温度变化情况,从而检测芯片及其它产品在温度变化环境下的可靠性和稳定性。冷热冲击试验箱是常用的试验设备。
冷热冲击试验箱又称高低温冲击试验箱、温度冲击试验箱、温冲箱、TCT箱等,是用于产品温度冲击试验的设备,可以测试产品在不同温度环境下的适应性的试验设备。模拟产品在实际工作中可能经受的极端温度环境,并测试产品在极端环境下的性能表现和可靠性,以提高产品对周围环境温度急剧变化的适应性。
该客户为浙江某电子科技公司,主要业务为电子元器件研发及制造,产品包括半导体分立器件、集成电路、集成电路芯片等。其采购的上海柏毅冷热冲击试验B-TCT-401具体参数如下:
型号 | B-TCT-401 |
工作尺寸 | 300x300x300 |
外箱尺寸 | W792*H1812*D1595 |
总功率(约) | 17.5KW |
设备重量 | 680KG |
低温区范围 | -10℃~-60℃ |
测试区范围 | -40℃~+150℃ |
高温区范围 | +80℃~+200℃ |
恢复时间 | 3~5分钟 |
温度波动度 | ±0.5℃ |
电压 | AC380V 50/60Hz |
转换时间 | 5秒内 |
冲击方式 | 两箱式(冷热驻留30分钟起) |
提篮承重 | 15KG |